- Mazda 6e на платформе Changan неожиданно... (1608)
- Google обновила интерфейс голосового поиска... (2243)
- Солнце раскрасило небо полярными сияниями —... (2101)
- Новая статья: Обзор телевизора Sber... (991)
- Новая статья: Обзор HUAWEI Mate X7: самый... (2224)
- На Земле началась сильная магнитная... (1109)
- Представлен Cuktech 15 Air: портативный... (2106)
- OnePlus 16 получит дисплей, какого пока что... (2756)
- Российский ответ Lethal Company и Content... (1335)
- Покупатели отворачиваются от подорожавших... (2168)
- Эвакуационный шутер Marathon от создателей... (2560)
- iPhone станет ближе к Android-смартфонам:... (1236)
- Такого не было очень много лет: протонные... (2355)
- Honor представила Magic 8 RSR Porsche —... (1564)
- Европа вдохновилась DeepSeek и ускорила... (1004)
- «Атмосферу можно лопать ложками»: новый... (1604)
Американская таможня начала проверку смартфонов HTC One X и EVO 4G LTE
Дата: 2012-05-18 00:01
Подробнее на 3Dnews.ru
Предыдущие новости
Sony представила новую зеркальную камеру SLT-A37
Корпорация Sony пополнила ассортимент зеркальных камер в фирменной линейке Alpha благодаря официальному анонсу модели SLT-A37, в которой используется технология полупрозрачного
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Диагональ дисплея у новой модели iPhone может быть увеличена на 0,5 дюйма. По данным осведомленных источников The Wall Street Journal, Apple заказала у своих азиатских поставщиков 4-дюймовые экраны для "айфона" следующего...
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...