- Аккумулятор более 7000 мАч, быстрая зарядка... (1303)
- Xiaomi выпустила один из самых тонких... (1253)
- В России появились модули ОЗУ кустарной... (1396)
- 9000 мАч, 100 Вт, IP68/69 и OLED-дисплей со... (1150)
- Память дорожает всерьёз и надолго: цены... (1237)
- Цены на DDR4, DDR3 и NOR Flash будут сильно... (1344)
- Tank 300 не выдерживает русской зимы:... (1426)
- США наконец обошли СССР по грузоподъемности... (1226)
- NASA готовит умные аппараты для миссии на... (1217)
- Роскомнадзор создаст ИИ для фильтрации... (1198)
- Роскомнадзор будет фильтровать... (1247)
- США спешат локализовать TSMC, но чиповая... (1114)
- Существенно снизить зависимость по чипам от... (1438)
- Космический корабль пережил столкновение на... (1400)
- Евросоюз с новыми силами возьмётся за... (1237)
- В Xbox Cloud Gaming может скоро появиться... (1228)
Американская таможня начала проверку смартфонов HTC One X и EVO 4G LTE
Дата: 2012-05-18 00:01
Подробнее на 3Dnews.ru
Предыдущие новости
Sony представила новую зеркальную камеру SLT-A37
Корпорация Sony пополнила ассортимент зеркальных камер в фирменной линейке Alpha благодаря официальному анонсу модели SLT-A37, в которой используется технология полупрозрачного
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Диагональ дисплея у новой модели iPhone может быть увеличена на 0,5 дюйма. По данным осведомленных источников The Wall Street Journal, Apple заказала у своих азиатских поставщиков 4-дюймовые экраны для "айфона" следующего...
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...