- Это действительно и Ultra, и Plus: Intel... (1916)
- Gigabyte подтверждает, что Nvidia определяет... (2360)
- Samsung запустила производство панелей OLED... (2306)
- На фоне катастрофы на рынке памяти Samsung в... (1380)
- Семь лет в AMD/ATI, 14 лет в Qualcomm, и вот... (1748)
- Инсайдер, на которого Apple подала в суд за... (1557)
- В России создали генератор с напряжением до... (2528)
- Asus вернула физические рычажки для... (2250)
- Дата-центры будущего смогут отапливать дома... (1691)
- Anthropic признала уязвимость Claude Cowork... (1815)
- Выпущен умный портативный проектор TCL... (2254)
- Samsung нарастит производство памяти всего... (1779)
- В Белоруссии разрешили получать зарплату в... (1236)
- 8000 мАч и 80 Вт, 165-герцевый экран от... (1692)
- Дефицит — не оправдание: Dell против б/у SSD... (1252)
- Китайский ИИ наступает: ERNIE-5.0 от Baidu... (1264)
Американская таможня начала проверку смартфонов HTC One X и EVO 4G LTE
Дата: 2012-05-18 00:01
Подробнее на 3Dnews.ru
Предыдущие новости
Sony представила новую зеркальную камеру SLT-A37
Корпорация Sony пополнила ассортимент зеркальных камер в фирменной линейке Alpha благодаря официальному анонсу модели SLT-A37, в которой используется технология полупрозрачного
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Диагональ дисплея у новой модели iPhone может быть увеличена на 0,5 дюйма. По данным осведомленных источников The Wall Street Journal, Apple заказала у своих азиатских поставщиков 4-дюймовые экраны для "айфона" следующего...
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...