- Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI nova 13... (497)
- Европа зачастит на Марс: два ровера ЕКА... (735)
- Анонсирован ультратонкий флагман Samsung... (686)
- Samsung S Pen стал заурядным стилусом... (852)
- YouTube запустила новые эксперименты на... (959)
- Нелинейное приключение Lost Records: Bloom &... (786)
- Samsung объявила о разработке очков... (803)
- Японская компания Astroscale выбрана для... (828)
- Samsung показала Galaxy S25 Edge — самый... (736)
- Титановая рамка, Snapdragon 8 Elite for... (781)
- Китайские космонавты впервые в истории... (810)
- Учёные смоделировали эволюцию суперземли GJ... (785)
- В США с помощью графена создали... (702)
- Этот уникальный корпус собирается вокруг... (610)
- Первый в мире 60-герцеый экран E Inl. Dasung... (694)
- Учёные разработали эффективный способ... (711)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...