- Первые смартфоны на Snapdragon 8 Elite —... (1318)
- Космический телескоп «Хаббл» запечатлел... (1458)
- Samsung наконец решила проблемы с HBM3E —... (1272)
- Samsung готова приступить к продажам... (1624)
- Sinotruk открывает российское... (1346)
- M**a отчиталась о слабом росте числа... (1544)
- M**a предупредила об увеличении расходов на... (1761)
- Искусственный интеллект вывел Python в... (1620)
- В Россию привезли новые Jeep Grand Cherokee... (1767)
- Microsoft научилась зарабатывать на ИИ, но... (1184)
- Microsoft созналась, что инвестиции в OpenAI... (1522)
- Московские дилеры предлагают Toyota Crown... (1679)
- Запас хода 2390 км и измеренный СМИ расход в... (1767)
- «Начало». Представлен Hyundai... (1409)
- 24 ГБ ОЗУ, 7000 мА•ч, 100 Вт и Snapdragon 8... (1605)
- Представлен Nothing Phone (2a) Plus... (1448)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...