- Треснувший фонарь и пара царапин — по цене... (1082)
- Большой полноприводный внедорожник с... (1149)
- Кризис Volkswagen — это были ещё «цветочки».... (970)
- Эта компания превратилась из не самого... (1036)
- Из аутсайдеров — в лидеры. Новые... (1080)
- Новейший BYD Atto 3 2025 предложит больше... (1232)
- Огромный внедорожник Volkswagen получил... (1080)
- Огромный внедорожник Volkswagen получил... (928)
- Крипта пережила историческое падение: BTC,... (919)
- 10 200 мА•ч, быстрая зарядка, IP69K,... (1210)
- Реальный Xiaomi 15 Ultra позирует в руке... (1020)
- Раскрыты версии Xiaomi YU7 — второго... (902)
- Редчайшая «восьмёрка» для европейского рынка... (903)
- BYD за полтора месяца продаёт столько же... (695)
- Помощь Renault и Dacia не понадобилась:... (939)
- BYD меняет правила игры: новинка с запасом... (953)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...