- Так фотографируют ещё не представленные... (3329)
- Китайцы не могут определиться между Huawei,... (3348)
- Tesla отчиталась о рекордной прибыли, но... (3479)
- Между Mitsubishi Outlander и Mitsubishi... (2948)
- Прорыв в квантовой фотонике:... (3420)
- Создан порошок с рекордным уровнем... (2876)
- Snapdragon 8 Elite мощнее полноценной... (2699)
- Обнаружена уязвимость Windows, позволяющая... (2855)
- Как легко и быстро сломать дорогой... (2730)
- Помещающийся на ладони мини-ПК с мощностью... (2524)
- Китай раскрыл содержимое полезной нагрузки... (2700)
- Comtech продаёт наземный бизнес 911, чтобы... (2638)
- Комета C/2023 A3 (Tsuchinshan-ATLAS)... (2762)
- Разработана технология записи данных в... (2096)
- Nvidia, Qualcomm, Google и Samsung выступили... (2386)
- Первые космические испытания перовскитных... (2593)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...