- Kioxia придумала, как обойти конкурентов без... (2877)
- «Silent Hill встретилась с Diablo»: трейлер... (3529)
- Exascend показала первые SSD с протоколом... (3234)
- Доработка сюжета, улучшения геймплея и DLC... (3961)
- Asus встроила во флагманскую плату ROG... (2808)
- «Базис» реализовал нативную интеграцию с... (3180)
- MSI анонсировала игровой компьютер MEG... (2578)
- Asus сломала главный стереотип о Windows на... (2835)
- Reka выберется из дремучего леса раннего... (3141)
- SK hynix за ближайшие пять лет удвоит... (2703)
- Noctua наконец выпустит первую СЖО — NL-LC1... (2579)
- SpaceX получила разрешение на испытания... (2883)
- Asus выпустила бюджетные ноутбуки Vivobook... (3006)
- Погрязшая в долгах GoPro признала, что... (4621)
- Noctua показала свежий прототип безнасосной... (3258)
- Gigabyte представила серию видеокарт Aorus... (2816)
Эскиз внутренней начинки iPhone 8 демонстрирует расположение SoC A11, двух аккумуляторов и прочих компонентов
Дата: 2017-04-27 12:33
Известный инсайдер под ником @VenyaGeskin1 разместил на своей страничке в социальной сети Twitter несколько новых изображений, которые касаются грядущего смартфона iPhone 8 или iPhone X.
Первый эскиз, по данным @VenyaGeskin1, создан с точностью около 70% на основании полученных от источников из цепочки поставок данных. Он демонстрирует расположение внутренних комплектующих смартфона.
Эскиз подтверждает вертикальное расположение модулей сдвоенной камеры, а также наличие дисплея, который занимает почти всю лицевую часть смартфона. Однокристальная система Apple A11 располагается под камерой, примерно на том же уровне находится модуль Wi-Fi. Они расположены на двух многослойных печатных платах (MLB), которые перекрывают друг друга на виде сверху. Еще ниже виден слот для карточки мобильной связи. Источники сообщают о двух аккумуляторах, которые отмечены желтым и персиковым цветами. Зимой сообщалось, что смартфон получит L-образный аккумулятор.
В верхней части лицевой панели находятся вырез разговорного динамика и 3D-камера, в нижней поместились два модуля 3D Touch и механизм Taptic Engine. В самом низу видны обозначения двух громкоговорителей.
@VenyaGeskin1 подтвердил, что дактилоскопический датчик разместили под поверхностью дисплея, устройство получило технологию беспроводной зарядки, фронтальная камера и прочие сенсоры скрыты под дисплеем. Якобы смартфон сможет распознавать трехмерные лица пользователей, он имеет класс защиты IP68 и будет работать под управлением iOS 11.
Согласно новым данным, в этом году нас ждут только iPhone 8 и iPhone 8 Plus.
Теги: Apple , iPhone КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Одноплатный ПК HiKey 960 основан на SoC Kirin 960 и оценивается в 240 долларов
Компания Huawei выпустила одноплатный компьютер HiKey 960. Устройство лишь формально можно назвать конкурентом Raspberry Pi, так как продукт Huawei намного дороже и производительнее. В основе ПК лежит SoC Kirin 960, на которой основаны актуальные флагманские смартфоны Huawei. Объём оперативной памяти составляет 3 ГБ (LPDDR4), а флэш-памяти у ПК 32 ГБ (UFS 2.0). ...
Western Digital начала поставки 12-Тбайт HDD Ultrastar He12
Компания Western Digital Corp в полном соответствии с обещаниями приступила к поставкам первых в индустрии 8-пластинных жёстких дисков Ultrastar He12 ёмкостью 12 Тбайт. Разработка модели была анонсирована в декабре прошлого года. Тогда же стартовали ознакомительные поставки новинки отдельным клиентам компании. С 26 апреля модель Ultrastar He12 данного объёма доступна для...
РАН: Таяние льдов в Арктике может привести к климатической катастрофе
Интенсивное таяние подводной мерзлоты Восточно-Сибирского шельфа ведет к высвобождению гигантского количества древнего органического вещества и способна повлиять на климатическую карту планеты, заявили в Дальневосточном отделении Российской академии...
Приоритетом науки США стал поиск внеземной жизни
Поддержку развития астробиологии утвердил президент Дональд Трамп Приоритетной задачей американской науки стал поиск внеземной жизни и отправка летательных космических аппаратов к объектам, на которых может быть...