Компания Samsung Electronics выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о завершении разработки двух техпроцессов: 11-нм техпроцесса 11LPP FinFET (Low Power Plus) и 7-нм техпроцесса 7LPP FinFET. Техпроцесс с нормами 11 нм будет использовать классические сканеры с длиной волны 193 нм, а техпроцесс с нормами 7 нм впервые в индустрии задействует сканеры с длиной волны 13,5 нм. Это излучение в крайнем (жёстком) ультрафиолетовом диапазоне, использовать которое можно только с системой зеркал. Стеклянная оптика поглощает EUV-излучение и не годится для сканеров нового поколения. Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Подробнее на 3Dnews.ru