- Падающую на Землю обсерваторию NASA Swift... (743)
- OpenAI в суде заявила о «неправильном... (674)
- Поделись тарифом и получи бонус: Yota... (630)
- Солнечная энергетика в США почти... (1027)
- Смарт-очки Alibaba Quark с крошечным экраном... (1022)
- Трафик ИИ-сервисов в России взлетел в шесть... (680)
- Не только Илон Маск, но и японская Rapidus.... (708)
- ИИ угрожает миллионам рабочих мест уже... (673)
- Паспорт и СНИЛС под рукой: в отечественном... (843)
- Спасёт ли новый чип Huawei новый техпроцесс?... (971)
- Провал iPhone Air меняет планы конкурентов.... (990)
- AliExpress: самые популярные неубиваемые... (495)
- В стиле ёлочки и не только: в России... (502)
- ИИ и «Айран» в ядре 6G: Samsung и SKT... (651)
- Необходимое зло: Ubisoft объяснила, зачем... (651)
- Paradox взяла на себя вину за провал... (548)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...