- Для Raspberry Pi 5 выпущена плата расширения... (765)
- Cybenetics показала прототип... (1225)
- В прошедшие новогодние праздники россияне... (1142)
- Спустя 27 лет работы глава The Division... (962)
- Доля Binance на крипторынке упала до... (1095)
- Глава Gigabyte объяснил, почему Nvidia... (1152)
- Ноутбук отработал автономно 24 часа и у него... (1117)
- Полностью новые процессоры Intel Core 3... (758)
- Прототип израильского компактного... (763)
- Google запустила функцию, позволяющую менять... (683)
- Рост цен и не думает останавливаться. Авторы... (779)
- Телевизоры NanoLED могут поступить в продажу... (705)
- Google представила TranslateGemma —... (738)
- Amazon подтвердила дату смерти New World:... (673)
- Аналог Li Auto L6 с гарантией 5 лет: в 2026... (809)
- Раскрыты 25 самых популярных статей... (593)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...