- 286 миллионов километров от Земли: NASA... (674)
- Тодд Говард подтвердил, что The Elder... (595)
- В Москве запущено тестовое производство... (897)
- Key Point ввела в строй вторую очередь... (677)
- Представлены телевизоры KTC: теперь и... (655)
- Мировой Интернет упал из-за «внутренней... (640)
- Сбой Cloudflare снова «положил» половину... (658)
- Cloudflare заблокировала 416 млрд запросов... (688)
- Куда столько: представлен 1000-герцевый... (809)
- Canon не выдержала конкуренции и закрыла... (625)
- Canon нет выдержала конкуренции и закрыла... (733)
- Автомобили Haval подорожали в... (666)
- Nvidia списала GeForce GTX 10 и GTX 900: для... (608)
- Представлена новая версия Motorola Edge... (733)
- Первый в мире на Snapdragon 8 Gen 5, с АКБ... (889)
- «Невероятно атмосферное приключение»:... (685)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...