- General Catalyst инвестирует $5 млрд в... (1753)
- Крупнейший раунд в истории ИИ: OpenAI... (1539)
- «Один нас подвёл. Другой отверг»: датамайнер... (1831)
- Телескоп «Джеймс Уэбб» составил первую... (1395)
- «Блокнот» всё больше превращается в WordPad... (1478)
- Ubisoft подтвердила разработку двух «очень... (1495)
- USDT ожидает самое большое месячное падение... (1522)
- Почему мы не регистрируем внеземные сигналы:... (1317)
- ИИ-боты тупеют при длительном общении с... (1369)
- NASA наконец удалось провести «мокрую»... (1505)
- Почти полтора года Microsoft рекомендовала... (1777)
- Радиотишина вокруг K2-18: наблюдения... (1573)
- Человекоподобные роботы будут собирать... (1347)
- Великобритания поддержала производство на... (1673)
- Внутри звёздного потока Млечного Пути... (1571)
- Capcom отправила юристов бороться с утечками... (1456)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...