- «Новый DeepSeek-момент»: первый в мире... (901)
- Марк Цукерберг лично развозил домашний суп... (954)
- Банк России не будет создавать отдельное... (996)
- Intel рассчитывает укрепить свои позиции на... (932)
- Inte рассчитывает укрепить свои позиции на... (901)
- Канадцы нагрели Германию: смелый... (927)
- Philips показала монитор с частотой до 1000... (888)
- Еврокомиссия оштрафовала X Илона Маска на... (915)
- 17-летний японец посредством вайб-кодинга... (945)
- Может ли это быть началом китайской Nvidia?... (890)
- Новая функция Windows 11 делает обновления... (957)
- В кратере Езеро нашли следы древних... (883)
- Впервые за 30 лет Microsoft радикально... (890)
- Впервые за всю историю МКС все 8 стыковочных... (866)
- Это действительно полезная новая функция... (830)
- Системные платы Gigabyte Z890 уже готовы к... (795)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...