- У внедорожника Tank 300 порвался ремень... (407)
- 6,2 л V8 HEMI на 710 л.с. и разгон до 100... (405)
- Новые Chevrolet Blazer 2024 появились в... (411)
- Россиянам начали предлагать семиместные GMC... (397)
- В Россию впервые привезли Lincoln Aviator... (386)
- Россияне распробовали Jetour: внедорожник... (412)
- Россияне распробовали Jetour: продажи... (404)
- К 2026 году Tesla намерена разработать... (328)
- OpenAI запустил новый интерфейс «Canvas» для... (480)
- Новый iPhone SE первым получит 5G-модем... (530)
- Google добавляет в поисковик ещё больше ИИ и... (937)
- Чипмейкеры сохраняют оптимизм: испорченные... (908)
- Элитные яхты станут атомными, и это лишь... (1148)
- На АвтоВАЗе сварили первые четыре кузова для... (1008)
- Новая статья: Обзор Acer Nitro Radeon RX... (18330)
- «Пройду заново с русской озвучкой»: ремейк... (4015)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...