- 630 л.с. и прибавка в 625 кг. Представлена... (1516)
- Квантовая телепортация по городскому... (2377)
- AMD установила мировой рекорд разгона GPU —... (2232)
- Вместо Scania и MAN. Совершенно новый... (1620)
- Спустя девять лет ожиданий гоблинский... (1673)
- NASA повторно заправило лунную ракету SLS... (2255)
- Первый в мире графический процессор с... (2210)
- 27-дюймовый 240-герцевый монитор от... (2224)
- Google представила поумневшую ИИ-модель... (1409)
- Никакого встроенного теста скорости... (1538)
- Интернет наводнили критические спойлеры к... (2237)
- Европейцы стали ещё чаще покупать Apple.... (2142)
- «Урал» завершил разработку нового мотоцикла... (1595)
- 20-летнему лидерству Samsung на рынке... (1677)
- AMD не пойдёт по стопам Intel и не откажется... (1724)
- Кодзима заинтриговал фанатов тизером нового... (1605)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...