- Учёные нашли уникальную особенность в... (1666)
- Британский ракетный стартап Orbex... (1558)
- Google обновила фоторедактор Snapseed для... (1876)
- Многие страны задумались о запрете соцсетей... (2385)
- Тодд Говард заверил, что Bethesda «ничего не... (2539)
- Комета 29P взорвалась и закрутилась в... (1720)
- Humain из Саудовской Аравии инвестировала $3... (1737)
- В тёмных кратерах Луны предложили установить... (1797)
- «Прогоревший» криптомайнер: NFN8 не пережила... (1831)
- На заводе электромобилей Evolute в Липецкой... (2369)
- В Windows 11 наконец-то добавлена... (2483)
- Пользователь ограничил потребление GeForce... (1782)
- Из-за вайб-кодинга разработчики Godot тратят... (1828)
- Asus представила компактную низкопрофильную... (1740)
- Microsoft бросилась исправлять... (1964)
- Dimensity 9500s, 8500 мАч, 100 Вт, IP69K.... (1731)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...