- Я устал, я упаду: робот Tesla Optimus... (2285)
- Все популярные браузеры теперь поддерживают... (2284)
- Научить робота танцевать оказалось гораздо... (2118)
- Сверхточный нагрев воды, никакого ожидания... (1587)
- 12-дюймовый экран, ИИ-ассистент и поддержка... (1050)
- Lada Iskra «Пантера» прибыли к дилерам:... (1692)
- Это ПК для ИИ, но вообще без видеокарты,... (1513)
- Российские физики создали новый электронный... (1123)
- Представлен самый большой и мощный Smart:... (1502)
- Новейший Tank 300 оснащён дистанционной... (1113)
- Почти вдвое больше ядер, но и TDP до 45 Вт.... (1481)
- Роскосмос показал крупнейший айсберг в мире... (2040)
- Новейший робот Tesla Optimus упал на спину... (1574)
- 192 Arm-ядра в одном процессоре. Представлен... (1414)
- Роскомнадзор не увидел причин для... (1565)
- В работе российского мессенджера Max... (1049)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...