- «Нет слов, чтобы описать, насколько это... (1869)
- «Новый подход в российском... (2447)
- Японская ispace предупреждает о задержках с... (1713)
- Гигантские рентгеновские лазеры впервые... (2480)
- Новогоднее шоу принесло Unitree волну... (4874)
- Samsung Galaxy S25, Galaxy S25 Plus и Galaxy... (1858)
- В России может появиться очень мощный и... (2370)
- Infinix представила в России смартфоны Note... (2102)
- Впятеро энергоэффективнее H100: HyperAccel... (2625)
- Звёздные войны от создателей Ex Machina и... (2512)
- 9 из 10 руководителей не увидели роста... (1965)
- M**a обрастает гаджетами — в этом году... (1680)
- «НВБС» представила российские серверы... (2143)
- Российские операторы по-разному «морозят»... (2300)
- Мессенджер Max реально заменяет паспорт:... (2584)
- Физики впервые наблюдали рождение поляронов... (1960)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...