- Цены на видеокарту Nvidia GeForce RTX 5090... (1753)
- Астрономы впервые измерили массу... (1625)
- GeForce RTX 3060 и не думает уступать трон.... (1864)
- На фоне ограничений США Baidu подала заявку... (1870)
- В условиях дефицита памяти лучше всего дела... (1775)
- Samsung оправилась от провала с HBM3E и... (1785)
- Starlink снизит орбиту спутников для... (2118)
- Китайские учёные заявили об обнаружении... (2212)
- Adata покажет на CES 2026 четырёхранговые... (2203)
- В сеть утекли аппаратные ключи PS5 —... (2101)
- В DeepSeek придумали новый способ экономить... (1800)
- Redmi Note 15, Redmi Note 15 Pro и Redmi... (2070)
- Глобальные версии Xiaomi 17 и 17 Ultra... (2539)
- Представлен BMW Alpina — теперь независимый... (1924)
- АвтоВАЗ поменял цены на все модели... (1812)
- Новые УАЗы с другими моторами и коробками... (2063)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...