- Флагманская модель для любителей... (1735)
- Квантовая система впервые начала сама... (1693)
- Китайские производители чипов обязаны... (2317)
- Глава Microsoft призвал не зацикливаться на... (1610)
- Asus представит на CES 2026 маршрутизатор с... (1907)
- Платформа AMD AM4 получает вторую жизнь.... (1779)
- Экран есть, но только для полезной... (2136)
- Телескоп «Джеймс Уэбб» впервые зафиксировал... (1688)
- Опасный вредонос GlassWorm переключился с... (2273)
- Эксперимент MicroBooNE не нашёл признаков... (1878)
- Малоизвестный ремастер старой игры... (2215)
- На CES 2026 покажут первый в мире ноутбук с... (1949)
- Стали известны цены на запчасти для Xiaomi... (2424)
- Физики обнаружили неожиданное ускорение... (1712)
- Gigabyte представила четвёрку материнских... (1647)
- Теперь субпиксели размещены ровно. Появилась... (1675)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...