- Hisense открыла в Москве фирменный магазин в... (2471)
- Firefox вот-вот лишится поддержки Windows 7... (1916)
- Google представила Pixel 10a, но проблема в... (1891)
- В Швеции показали в деле зарядку на 1,2 МВт... (2152)
- Киберпанковый боевик Replaced опять... (2811)
- «Яндекс» рассказал, как сэкономил 4,8 млрд... (2236)
- Топ-менеджер Intel: в половине отгруженных в... (1806)
- Топ-менеджер Intel: в половине отгруженных к... (2201)
- Немецкие инженеры создали QR-код размером... (1696)
- Американская фирма обвиняет Lenovo в... (1734)
- Зафиксирована первая «смерть» Ryzen 7... (2171)
- «Ладу» теперь можно купить в кредит на 10... (2146)
- Программируемая кнопка действия, SpO2 и... (2561)
- Apple Mac mini и Mac Studio стали... (2808)
- Новые iPhone, MacBook и iPad представят... (2252)
- Discord будет применять возрастную цензуру ... (2557)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...