- Амбициозное выживание с динозаврами Ark 2... (3083)
- Fortnite не выйдет на iOS в Японии — Epic... (4109)
- Власти США официально взяли курс на... (2841)
- Земля с «пушком»: обсерватория NASA... (4212)
- США отрезают Китай от американских денег —... (2366)
- Larian Studios ответит на вопросы игроков об... (3694)
- Созданы «атомные» часы для смартфонов... (2337)
- Российская частная ракета Kamchatka впервые... (3031)
- Цукерберг готовит Mango и Avocado: M**a... (1803)
- Android-смартфон теперь может заблокировать... (2419)
- Минцифры добавило в «белый список» сайты... (2370)
- «Трамплин Электроникс» представила... (2326)
- Когда связь отключена или нестабильна: в... (2592)
- 15,4 часа на оборот вокруг своей оси:... (2297)
- Apple разрешила себе забирать деньги у... (2206)
- OpenAI намерена привлечь ещё $100 млрд... (2097)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...