- Число Пи вычислено до 314 триллионов знаков... (2546)
- «Росатом» запустил первый электрозарядный... (3290)
- «Хаббл» зафиксировал сразу два столкновения... (4043)
- NASA и Boeing испытали «гибкое» крыло для... (3313)
- Симулятор воздушных боёв Aces of Thunder от... (2649)
- Журналисты выяснили, как Китай выпускает... (2648)
- ИИ засорил науку: статей стало в разы... (2539)
- Эпический ролевой боевик Code Vein 2 получил... (3461)
- Valorant начал массово блокировать игроков... (3748)
- После скандала китайская Nexperia обеспечила... (2768)
- ASRock представила массивную Radeon RX 9070... (3710)
- Геймерский ноутбук Legion Pro Rollable... (3586)
- «Как бы сильно вы ни ненавидели ZA/UM, этого... (2840)
- ChatGPT заработал $3 млрд на мобильных... (2445)
- DirectX 12 исполнилось десять лет, и он всё... (3702)
- Фанатский флагман Samsung Galaxy S25 FE... (3628)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...