- Водопотребление всех дата-центров для ИИ... (4326)
- Все машины для России распроданы: Omoda S5 и... (3668)
- Отключения интернета не страшны: в России... (2556)
- Ещё одна видеокарта, которая может получать... (2805)
- ИИ ломает Microsoft изнутри: Наделла... (3612)
- Honor Magic8 Pro уже вышел в Китае и других... (3499)
- Процессоры AMD, произведённые Intel? AMD и... (3504)
- Аудитория Telegram в России достигла 105 млн... (2667)
- «Алиса AI» научилась исследовать и... (2790)
- Xiaomi представила глобальные версии... (2659)
- ИИ-агенты научились оплачивать покупки... (2972)
- Honda останавливает производство машин на... (2345)
- G.Skill объяснила, почему оперативная память... (3026)
- У NASA новый директор — миллиардер, друг... (2708)
- Apple научила ИИ строить 3D-сцены по одному... (2304)
- Россиян лишили возможности самостоятельно... (2967)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...