- От курсора к роботам: китайские учёные... (2282)
- SpaceX бесплатно обновляет роутеры... (3697)
- ИИ и ЭЭГ помогли выявить... (3268)
- Тайвань закрепил технологический барьер для... (2315)
- Уолл-стрит снижает оценки ИИ-компаний на... (2303)
- Неожиданно: Российскую орбитальную станцию... (2228)
- Dell укрепляет позиции на рынке... (2681)
- Дорожное ведомство Дании отказывается от... (2565)
- Взрывной рост цен на память DDR5 перевернул... (2709)
- TSMC ускоряет строительство фабрики по... (2695)
- ИИ-код содержит в 1,7 раз больше ошибок, чем... (2476)
- Культовый 40-летний джойстик возвращается.... (2784)
- Игры на Unreal Engine 5 наконец-то станут... (2475)
- В Steam стартовала грандиозная зимняя... (2607)
- Продавал память со скидкой за откаты.... (2660)
- Xiaomi представила открытую нейросеть... (2512)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...