- Minisforum выпустила Mini-ITX-плату для... (2662)
- Поисковик Google получил ещё одну... (2877)
- Глава Mozilla рассказал о приоритетах... (2915)
- Colorful выпустила компактные видеокарты... (3245)
- Bethesda рассказала, как идёт разработка The... (3169)
- Apple вернёт iMac Pro? В коде ПО Apple... (3758)
- iPhone 17e может получить MagSafe, которого... (2487)
- Никакого AMOLED, американский бренд, IP69,... (3324)
- Никакого IPS, американский бренд, IP69, но... (4319)
- Если кому-то нужно к настольному ПК... (3443)
- Один из самых технологичных метровагонов в... (4558)
- Terminator: Survivors осталась без... (2329)
- Arctic выпустила термопасту MX-7 — её не... (4127)
- До максимального сближения межзвёздной... (2722)
- Анонсирован Westlanders — симулятор... (4040)
- Госдума обязала все домовые чаты в России... (3085)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...