- Закрытая «альфа» Warhammer 40,000: Dark... (3001)
- Представлен смартфон Moto G Power (2026) —... (3094)
- Новые «Москвичи» показали в свежем видео... (4704)
- Камера 200 Мп, большой AMOLED, много памяти,... (3687)
- Lada вышла на рынок одной из самых бедных и... (4411)
- Rapidus разработала метод производства... (4855)
- Новый Geely Monjaro, специально для России,... (2751)
- Российская замена Chery: бестселлер Tenet T4... (4735)
- С прямым намёком на новые iPhone.... (4372)
- OnePlus Turbo получит совершенно новый экран... (3760)
- Новые монстры автономности с экраном 165 Гц,... (5732)
- США пригрозили европейским компаниям за... (2472)
- Администрация Трампа угрожает европейским... (3405)
- OpenAI выпустила генератор изображений... (4574)
- Властелин ИИ: OpenAI затягивает Amazon в... (3132)
- Amazon рассматривает возможность инвестиций... (3504)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...