- Дефицит памяти вдохнул в Socket AM4 новую... (4201)
- Таких «Москвичей» ещё не было. «Москвич М70»... (2929)
- Китайские дорожные полицейские начали... (2654)
- В 2026 году в Россию приедет... (3075)
- Он превзойдет Tank 500 и Tank 700. В 2026... (2926)
- Научно-фантастический шутер Supreme... (4691)
- Intel успешно испытала передовой сканер... (2800)
- Не только 2ГИС и «Яндекс Карты»: российский... (4455)
- Открыта экзопланета с двумя газовыми... (3094)
- Rocket Lab идёт на рекорд: 3 запуска за... (4605)
- Intel уже установила у себя первую самую... (2851)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS теперь движется... (2880)
- В первом сравнении новый Core Ultra 7 365... (3057)
- HKC анонсировала первый в мире монитор с... (3042)
- Космические спутники целенаправленно... (2657)
- 7000 мАч, 60 Вт, экран 120 или 144 Гц,... (4255)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...