- $100 млн на «карманный атом»: стартап Last... (4608)
- iPhone наконец начнут отправлять уведомления... (3645)
- До анонса Xiaomi: смартфон Redmi Note 15 5G... (3058)
- Универсальный ИИ-процессор Electron E1 в 100... (3855)
- Германия первой в мире начала... (3428)
- Великобритания хочет, чтобы в смартфонах и... (3050)
- LG показала Micro RGB evo — свой первый... (4417)
- Все в Max. Все домовые чаты из Telegram и... (3497)
- ИИ почти самостоятельно разработал компьютер... (3025)
- Всего 250 вредных документов способны... (4526)
- 10-летний ребёнок погнул 50 SSD Samsung на... (3108)
- Приложение Apple TV теперь поддерживает... (2887)
- Если хочется фирменный полностью готовый... (3460)
- Разработчики Dead Island 2 полностью... (2796)
- Представлена термопаста Arctic... (4438)
- Появились уникальные кадры стендовых... (3212)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...