- Sapphire пожаловалась, что AMD даёт мало... (3806)
- Финалисты турнира Red Bull Tetris сыграли в... (3458)
- Qualcomm представила процессоры Snapdragon... (3732)
- По-настоящему вечная память вышла за пределы... (3501)
- Team Vitality обыграла FaZe Clan и стала... (3191)
- Поиск жизни на Марсе станет приоритетной... (2995)
- Samsung Galaxy A07 5G не будет... (4468)
- Европе 7500 мАч, а Латинской Америке уже... (4037)
- Глава разработки Stellar Blade удостоился... (4587)
- «Искра» зажглась, проблемы решены: продажи... (3606)
- Акулий плавник и малая масса. Представлена... (3064)
- Аналог Hyundai Creta из Питера: каршеринг... (2659)
- Старый, но не бесполезный. Кластер на основе... (3859)
- Материнская плата за $1300: MSI запустила... (3064)
- Крыс научили стрелять: эксперимент по... (3919)
- В этой игре будут красивые женские персонажи... (5748)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...