- «Роскосмос» пообещал возобновить запуски... (3028)
- 2 Тбит/с по воздуху: Япония установила... (3067)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, 200 Мп и батарея... (4881)
- Acer и Asus готовятся резко поднять цены на... (3031)
- После DDR5 резко подорожала и более... (3356)
- Анонсированы смартфоны Vivo S50 и S50 Pro... (3354)
- Китайские бренды сдают позиции, доля... (3446)
- На УАЗе появились новые... (2869)
- Oppo готовит смартфон с двумя... (2917)
- Аналог Li Auto L9 на платформе Volvo... (3769)
- Представлены телевизоры LG Micro RGB evo с... (4739)
- Утечка ПО Apple подтвердила складной iPhone,... (3107)
- АвтоВАЗ готовит дешёвую альтернативу... (3445)
- Поставки автомобилей из Китая в РФ рухнули... (4833)
- Продажи Hollow Knight: Silksong превысили 7... (3317)
- Роботакси без «страховки»: после заявления... (3546)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...