- ChatGPT вырос в восемь раз: OpenAI показала,... (3179)
- Asgard представила новый комплект памяти... (3241)
- Бессменный босс Tekken и несостоявшийся... (3281)
- Даже нефлагманский iGPU Intel Arc B370... (3171)
- 9 декабря «Союз МС-27» вернётся на Землю... (3136)
- Привели рынок к катастрофе, а теперь дают... (3717)
- Люди всё чаще используют в письменной речи... (3076)
- Люди всё чаще используют письменной речи... (5342)
- Киноправа на «Гарри Поттера» в итоге... (2999)
- 10 050 мА·ч, стилус и 12-дюймовый экран.... (4425)
- Xiaomi более чем довольна прибылью, которую... (3570)
- OLED, 1440p и 240 Гц за $500: MSI выпустила... (5699)
- Microsoft перестанет настойчиво показывать... (3198)
- После скандала с цензурой OnePlus отключила... (5972)
- Это будет первая игровая 300-ваттная... (3783)
- QD-OLED, 240 Гц и цена 500 долларов.... (5279)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...