- Core Ultra 7 270K Plus действительно... (5061)
- Новый бестселлер Huawei Mate 80, который... (3469)
- Xbox провалила «Чёрную пятницу» — даже... (3861)
- Взлетевшие цены на память больнее всего... (5068)
- Geely пересмотрела скидки на седан Preface в... (2689)
- Перископическая камера Sony, IP68/69,... (3728)
- Инсайдер заинтриговал фанатов Star Wars:... (4170)
- Готовый Starship нового поколения сняли... (3876)
- У мессенджера Max произошёл массовый сбой —... (4664)
- Конкурент Monjaro с 2,0-литровым мотором,... (3847)
- Редкая «чёрная» вспышка окутала треть... (4530)
- Готовы к внедрению 5G: «МегаФон»... (4955)
- Ореховое дерево и магнитные свитчи Gateron... (3736)
- «Тревожность» — слово 2025 года у россиян.... (4026)
- Робот, который бьёт по-настоящему: T800 сбил... (4858)
- Новейший большой седан Geely Preface... (5265)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...