- Apple и Google уведомили пользователей о... (4490)
- После иска к OpenAI газета New York Times... (3052)
- OpenAI заявила, что появившиеся в ChatGPT... (3388)
- Изувеченный Super Heavy нового поколения... (3150)
- Waymo пришлось отозвать роботакси для... (4085)
- Шумоизоляция Xiaomi YU7 оказалась лучше, чем... (4917)
- Звукоизоляция Xiaomi YU7 оказалась лучше,... (2795)
- Xiaomi готовит международный сюрприз: 17... (3133)
- У новенькой GeForce RTX 5080 поломался... (2580)
- Скандал вокруг новенькой GeForce RTX 5080:... (3757)
- iPhone 16, 16 Pro и 16 Pro Max устроили... (3350)
- Ядерные мини-реакторы для питания... (3687)
- Энтузиаст использовал тепловые трубки... (3514)
- Jolla представила Linux-смартфон с... (2608)
- Возглавить Apple готов один из создателей... (3397)
- Глава Nvidia рассказал, как изобретение... (3042)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...