- Физики впервые засняли «промежуточную» фазу... (3127)
- Администрация США планирует ускорить... (3164)
- AMD идёт по стопам Nvidia. HPE стала первым... (2943)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS оказалась... (2781)
- Владелец Chery Tiggo 4 обанкротил дилерский... (2865)
- Других таких блоков питания в мире нет. Lian... (2999)
- Учёные изобрели тактильный дисплей, который... (3264)
- Экстремальный Tank 300 Polar Edition... (3313)
- Американская компания Vantor опубликовала... (3060)
- «Пузыря не будет»: глава AMD уверена, что... (2677)
- Конкурент Monjaro с 2,0-литровым мотором,... (3071)
- Это монитор с Mini-LED, HDR1400,... (3109)
- Бывший партнёр Илона Маска берётся за... (4933)
- Глобальный Honor Magic8 Pro существенно... (2701)
- Быстрый монитор за 355 долларов. KTC... (3030)
- Очередной хит от Geely Auto. Новейший... (3211)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...