- Ядерные мини-реакторы для питания... (3699)
- Энтузиаст использовал тепловые трубки... (3529)
- Jolla представила Linux-смартфон с... (2614)
- Возглавить Apple готов один из создателей... (3410)
- Глава Nvidia рассказал, как изобретение... (3055)
- У Wikipedia появился свой аналог Spotify... (3033)
- По слухам, Apple может покинуть старший... (2855)
- Китай перевёл ракету «Чанчжэн-8А» (Long... (3566)
- Kia ввела скидки до 10 000 долларов на свои... (3520)
- Вилла на колесах с запасом хода 1320 км и... (3322)
- Новая статья: Total Chaos — тот самый... (4196)
- Новая статья: Gamesblender № 755: Electronic... (2802)
- Samsung продолжает безоговорочно... (2937)
- У этой клавиатуры может быть латунный корпус... (3086)
- Память Samsung GDDR7 получила президентскую... (3631)
- Инженеры MIT создали юркого микробота-шмеля... (3476)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...