- Память Samsung GDDR7 получила президентскую... (3637)
- Инженеры MIT создали юркого микробота-шмеля... (3484)
- DDR4 против DDR5 в современных играх. Свежие... (3161)
- Apple может потерять ещё одного очень... (2922)
- Даже iPhone 16e продавался лучше любого... (3095)
- ПК Steam Machine не поддерживает HDMI 2.1.... (3191)
- 60 000 ТБ в объёме 1 литра. Представлено... (3129)
- Весь современный мир искусственного... (2726)
- Сколько осталось до появления полноценных... (3020)
- Настоящие «кибернаушники». Nubia представила... (3606)
- Теперь лучший iGPU в классе точно у Intel.... (3074)
- В Сколково открылся первый в России кластер... (2976)
- В тестах засветился Core Ultra 5 332 всего с... (3447)
- Китай почти догнал США в важнейших научных... (3094)
- Первая игровая приставка на Core Ultra 300.... (3268)
- Microsoft хочет свой идеальный ИИ-чип:... (2754)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...