- M**a переманила из Apple создателя Liquid... (2726)
- Сэм Альтман пытался заполучить амбициозного... (3287)
- Таких событий на небе в текущем столетии... (2633)
- В России начали блокировать... (3518)
- Роскомнадзор объявил о начале блокировки... (2696)
- Infinix выпустит новую линейку премиальных... (3208)
- Lada Aura с заводским ГБО вышла на... (3397)
- Физики научились «картографировать»... (2461)
- У умной туалетной камеры Kohler Dekoda со... (3164)
- В России запустили автоматизированное... (3241)
- 5100 мА·ч, IP68/IP69, MIL-STD-810H, 50 Мп,... (4345)
- Частота выросла со 100 до 144 Гц,... (3859)
- В России представлен новый Geely Monjaro с... (4257)
- Астрономов ждёт спутниковый апокалипсис —... (3678)
- Глава Anthropic тонко намекнул, что OpenAI... (3449)
- Gemini 3 Pro может рассказать, как создать... (2862)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...