- У Nvidia возникли проблемы с деньгами — их... (2874)
- Браузер Opera для Android получил обновление... (2835)
- GeForce GTX 1060 теперь и для Windows тоже... (3715)
- «Мне очень, очень жаль»: новый агент от... (3307)
- Древняя видеокарта 3dfx Voodoo2 заработала в... (3177)
- Windows 11 созрела для Service Pack 2,... (3055)
- ASRock выпустила материнскую плату H610M... (2703)
- iPhone 17 Pro получил неполноценный «Ночной... (3139)
- Сварку Solaris в России остановили,... (2705)
- В VK Play появилась синхронизация со Steam,... (3138)
- Apple впервые выпала из пятёрки любимых... (3324)
- Серийный преследователь женщин обвинил... (4264)
- Приложением «Госуслуги Моя школа» пользуются... (4487)
- Представлен смартфон OnePlus Ace 6T с... (3589)
- В «Яндекс Музыке» подвели музыкальные итоги... (4877)
- TikTok вложит более $37 млрд в постройку... (3327)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...