- Культовый журнал «Игромания» возвращается... (3794)
- Культовый журнал «Игромания» возвращается... (4300)
- AMD и Intel, похоже, передумали выпускать... (4730)
- Nebius предрекла взрывной рост... (3795)
- Samsung собирает новую команду для... (4564)
- Micron предала потребителей ради ИИ: выпуск... (5142)
- В образцах с астероида Бенну нашли... (3448)
- Asus приостановила поставки дорогущей... (4383)
- «Величие не терпит спешки»: амбициозный мод... (3328)
- Samsung и SK hynix угодили в цугцванг:... (3235)
- «У Microsoft никогда ничего не получается с... (3647)
- Все ИИ-гиганты провалили проверку на... (3142)
- Обновление опять сломало Windows 11 — в этот... (3856)
- Чувак отправляется в мультивселенную:... (3633)
- «Стоящее дело»: Intel впечатлила клиентов... (2720)
- В США представили «вечную флешку» на базе... (3735)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...