- Роскомнадзор подтвердил и объяснил... (3903)
- «Китайский Maybach» едет в Россию: премьера... (4271)
- В 2026 году в России начнут выпускать... (3390)
- Представлен складной смартфон Nubia Fold с... (4141)
- «Я глубоко, глубоко сожалею»: ИИ-агент... (4172)
- Арифметика не сходится: без прорыва... (4008)
- Прощай, Emgrand: Geely убрала популярный... (3780)
- На японском телевидении показали несколько... (3073)
- После приставок Steam может появиться на... (3237)
- Xiaomi выпустила базовый 23,8-дюймовый... (9342)
- XPG выпустила модули памяти Armax DDR5 со... (4007)
- ВТБ: к 2030 году энергопотребление... (3986)
- Вперёд в светлое будущее: Marvell купила за... (4432)
- Первый в мире смартфон на Snapdragon 8 Gen 5... (3738)
- Первый в мире смартфона на Snapdragon 8 Gen... (3884)
- Anthropic случайно показала пользователю... (4215)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...