- Вроде бы, новые машины, но выпущены пару лет... (2663)
- Anthropic нацелилась на крупнейшее IPO в... (3190)
- Samsung вырывается вперёд: представлена... (2815)
- Один из первых смартфонов на Snapdragon 8... (3331)
- CD Projekt Red разочаровала фанатов,... (2584)
- Foxconn поможет Google c TPU-серверами, а... (2680)
- Аналог Toyota Alphard российской сборки с... (2676)
- Tenet уже в топ-3, а Geely с Belgee догнали... (3291)
- Двойной анонс от Toyota и Lexus: 5 декабря... (3248)
- Пять нониллионов IPv6-адресов:... (3126)
- В Android появилась функция Call Reason —... (2904)
- Google внедрила маркировку очень важных... (3182)
- Россияне обожают Toyota: продажи выросли... (2801)
- Представлены 4K-проекторы BenQ TK705i и... (2567)
- Аккумулятор 8300 мА·ч, 100 Вт, IP69K,... (3572)
- Samsung Galaxy S26 Ultra тоже будет... (3122)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...