- Дефицит HDD и жадность производителей... (3989)
- Зима начинается с плазменного удара по Земле... (3205)
- Roblox перестала работать в России после... (3432)
- Атмосферный битопливный двигатель и... (3186)
- «Москвич» выходит на новый уровень:... (2816)
- Власти РФ утвердили тотальную маркировку... (3111)
- Видео: BYD «избила» крышу флагманского... (4187)
- OpenAI готовит «Чеснок» — улучшенную версию... (3614)
- Главная тревога россиян — отключения... (3284)
- BYD бросила вызов Toyota и Mitsubishi:... (3471)
- Платформа XC90, 254 л.с. и полный привод —... (2968)
- Такая полезная функция — это ошибка?... (2503)
- «Газпром» тестирует отечественный тягач БАЗ... (2814)
- GeForce GTX 1060, GTX 1050 и прочим пора на... (2494)
- Из гаражей СССР в электрическое будущее:... (2846)
- Машины этого бренда официально продаются в... (3053)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...