- Латвийский автопроизводитель Dartz начнёт... (2888)
- Бесплатный доступ к ИИ от Google: Opera... (2970)
- В ChatGPT появится (2472)
- Уникальный суперкар Gordon Murray S1 LM... (2658)
- «Свободные парковки» появились в приложении... (2910)
- Дизельный УАЗ под землёй: модернизированный... (2860)
- «Билайн» завершил комплексную модернизацию... (3532)
- Starship будут запускать по несколько раз в... (2538)
- SpaceX уже строит новый стартовый комплекс... (3278)
- Немецкий астронавт станет первым европейцем,... (2830)
- Российский Chery Tiggo 9 под названием Tenet... (2742)
- ByteDance выпустила голосового ИИ-помощника... (3127)
- Apple нашла виноватого в провалах в ИИ —... (2847)
- На фоне провала Siri руководитель отдела ИИ... (3050)
- Руководитель отдела ИИ Apple Джон... (3302)
- Ничего святого: Microsoft представила новый... (2776)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...