- Грядёт подорожание SSD: ИИ устроил дефицит... (4484)
- В ноябре память типа NAND последовательно... (2960)
- Evolute удваивает обороты: российский бренд... (3857)
- Mercedes-Benz S-Class нового поколения... (2698)
- Вышел генератор HD-видео Runway Gen 4.5 — и... (3223)
- «Уродливые» свитера Microsoft вернулись.... (3305)
- Новый ИИ-генератор видео Runway обещает... (2490)
- Власти Индии обязали производителей... (2842)
- Власти Индии потребовали от поставщиков... (3396)
- Hyundai готовит пикап, который «взорвет... (3522)
- DeepSeek ответил на GPT-5 и Gemini 3 Pro —... (3073)
- Японский ответ Rolls-Royce: представлен... (3018)
- Новая статья: Обзор смартфона IQOO 15:... (3924)
- Новая статья: Обзор и тест процессорного... (3649)
- Китайский корабль «Шэньчжоу-20» вернётся на... (3147)
- AMD и Intel символически нарастили долю на... (3291)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...