- Основатель Linux для своего нового ПК... (2658)
- Корейские корни не скрывают: на российские... (3230)
- На российские Hyundai Creta (Solaris HC) до... (3242)
- Российские Kia и Hyundai (Solaris) берут,... (3210)
- «Создан, чтобы стать первым телефоном вашего... (2722)
- Российский Hyundai Creta (Solaris HC)... (3133)
- Белая до кончиков всех разъёмов. Asus... (2669)
- Радиосигнал межзвёздной кометы 3I/ATLAS... (2989)
- Intel хочет вернуть побольше больших ядер?... (3257)
- Катастрофа на рынке DRAM распространяется и... (2835)
- Возвращение блудного разработчика: бывший... (2918)
- Microsoft предупреждает: ИИ-агенты в Windows... (3067)
- Ничего личного, просто бизнес: подразделение... (2512)
- Ничего личного, просто бизнес: подразделение... (2509)
- 7000 мАч, 100 Вт, тройная 50-мегапиксельная... (3036)
- Стало известно, насколько большой... (3245)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...