- Дела у Intel резко пошли вверх? Компания уже... (3035)
- Nvidia готовится заранее. Компания стала... (2968)
- Asus рассказала, когда представит ноутбуки... (2987)
- В первый день зимы биткоин упал ниже $85 000... (3629)
- Всего 2100 евро, и GeForce RTX 5090 ваша.... (2860)
- Рамный внедорожник Tank 400 2025 модельного... (2561)
- Dacia Sandero 2026 вышел в продажу в... (3431)
- Создатели «Земского собора» по... (3709)
- После шквала жалоб Samsung разрешила... (3404)
- 200-мегапиксельный народный камерофон Oppo... (3602)
- В Дагестане заработала будущая крупнейшая... (2890)
- Не Samsung и не Xiaomi: Red Magic 11 Pro+ на... (2887)
- На строительство 7 тыс. км ВОЛС в Якутии... (2422)
- Можно бензиновый, гибридный либо... (2783)
- Домашние кошки появились в Европе намного... (2811)
- Просторный гибрид Nissan с расходом 2,9... (3456)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...