- Дешёвых SSD больше не будет: дефицит... (3233)
- В Санкт-Петербурге наблюдаются массовые... (3401)
- Urus от мира смартфонов. Motorola Edge 70... (3776)
- Солнце снова «взрывается»: после нескольких... (2804)
- Kia показала радикально новый... (2655)
- Kia Soluto за 8 млн тенге (1,2 млн рублей)... (3104)
- Надёжный инсайдер раскрыл дату выхода... (2819)
- Современный проектор на Android с Wi-Fi 6 и... (2952)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, 200 Мп и батарея... (2811)
- Назван самый популярный смартфон осени в... (2891)
- Какие смартфоны покупали в России осенью... (2737)
- Россияне переключились с Zeekr 001 и Li... (2814)
- Xiaomi собирается массово использовать... (2974)
- Xiaomi 17 Ultra получит переработанную... (2655)
- iPhone 17 не просто удался — запуск позволил... (2813)
- Экраны Huawei Mate 80 Pro Max и Samsung... (2996)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...