- Samsung рассчитывает сертифицировать HBM4... (3049)
- Готовый робот за 7 месяцев: Humanoid меняет... (3124)
- Спутник-платформа RUVDSSat1 отправится в... (2566)
- В России выпускают более 50 моделей свыше 20... (3511)
- Sony Bank выпустит в США стейблкоин для... (3605)
- Глава Google пояснил, что вайб-кодинг хорош,... (3261)
- Производство на бывшем российском заводе... (3525)
- Бывшие российские заводы Toyota и Volkswagen... (2777)
- В России вступили в силу новые правила... (3403)
- Новая статья: Компьютер месяца — декабрь... (2917)
- Большой премиум-гибрид от BYD, способный... (3300)
- Павел Дуров запустил Cocoon —... (3378)
- Porsche 911 мог превратиться в подзаряжаемый... (3348)
- Увольнения в Volkswagen AG продолжаются: MAN... (3395)
- Премиум-бренд Hyundai готовит конкурента... (2946)
- Конкурентов флагманскому КамАЗу К5 станет... (3294)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...